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金锡焊料及其在微电子封装中的应用(上传时间:2011-11-22)

在功率放大器微电子器件制造工艺中，硅芯片在工作中会产生大量的热，故其结构需要一个良好的散热通道。金基钎料比锡基或铅基钎料有较优良的热导性和较高的熔点，同时具有较高的抗热疲劳性能，因此，金基钎料是性能优良的微电子器件封装用材料。 AuSn20 钎料除可用于芯片与电路基材的连接外，还可广泛用于多种高可靠电路气密封装。本文介绍了Au80％Sn20％焊料的基本物理性能。同时介绍这种焊料在微电子、光电子封装中的应用。

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高占空比、高功率线阵二极管激光器封装技术(上传时间:2011-11-22)

对高占空比、高功率线阵二极管激光器的封装技术进行了研究, 给出了封装器件性能测试结果: 在占空比20% (200ns, 1000Hz)时获得峰值功率大于40W 的激光输出, 100～1000Hz 重复频率下, 输出激光中心波长为805～808nm , 谱线宽度3. 2～4. 2nm , 激光起伏小于1%。

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高亮度半导体激光器拓展新波长及新应用(上传时间:2011-11-22)

半导体激光器的输出波长日趋丰富，在设计各种波长的高亮度光纤耦合半导体激光器时，必须要有一些重要的设计考量。随着输出波长的不断拓展，半导体激光器将在更多新的应用领域中大显身手.

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高功率二极管激光器封装的多层焊接技术(上传时间:2011-11-22)

对高功率二极管封装工艺中的焊接技术进行了研究 ,掌握了高真空下利用蒸发沉积制备铟( In)焊料的方法 ,在不加助焊剂的情况下进行了多层焊接实验 ,并对封装的连续、准连续激光器进行了性能检测。结果表明 ,利用 In和 In2Sn合金的多层焊接技术进行激光器封装的方法是切实可行的。

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大功率半导体激光器阵列的封装技术(上传时间:2011-11-22)

半导体激光器阵列的应用已基本覆盖了整个光电子领域,成为当今光电子科学的重要技术。本文介绍了半导体激光器阵列的发展及其应用 ,着重阐述了半导体激光器阵列的封装技术—热沉材料的选择及其结构优化 、热沉与半导体激光器阵列之间的焊接技术、半导体激光器阵列的冷却技术 、与光纤的藕合技术等。

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808 nm激光器端面镀膜技术(上传时间:2011-11-22)

通过对 Al GaAs/ GaAs 808 nm 半导体激光器谐振腔的前后端面分别蒸镀 Ta2O5 /SiO2 膜系高反膜和 Al2O3 单层增透膜 ,使得前后端面的反射率分别达到 11 %和 98. 42 %。器件在同一驱动电流下镀膜后的输出功率比镀膜前增加了一倍多 ,同时镀膜还有效地保护了端面 ,延长了器件工作寿命。

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半导体封装领域的晶圆激光划片概述(上传时间:2011-11-22)

介绍了半导体行业的发展 晶圆激光划片技术的特点 激光划片系统的组成与其在实际过程中应用

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OFP封装技术(上传时间:2011-11-22)

最近几年来，高功率半导体激光器越来越多地为许多应用而生产，如直接的材料处理、光
纤激光和放大器泵浦、自由空间光通讯、印刷和医疗等。这些首要归功于激光器结构设计、半导体
材料和可靠的封装技术的发展。特别是，半导体激光器的封装使得激光器件能获得高墙插效率，提
高稳定性能并节省使用者的使用成本。尽管最近几年来获得的种种进展，但封装、测试及可靠性等
依然占据光纤耦合输出的半导体激光器的大量成本。 我们开发的新半导体激光耦合设计和工艺使得
低成本、高可靠性的半导体光纤激光器耦合变成可能...

808nm连续1500W阵列激光器封装(上传时间:2011-11-22)

针对高功率全固态激光器抽运源的需求, 开展了 808 nm 连续 1500 W 阵列激光器封装技术研究。理论上从
封装应力、 封装热阻和光束整形等三方面分析了大功率激光器封装的要求。解释了封装应力来源、 表现和缓解途
径;模拟了微通道热沉结构的封装散热效果云图; 指出了光束整形的必要性以及与封装残余应力的关系。技术上
通过研制铟/金复合焊料体系, 配合控制烧焊曲线和烧焊过程, 得到了良好的烧焊效果;结合设计使用高精度光束
整形装配夹具,实现阵列平均 smile 值 2 m, 发散角 6 mrad 的实验效果。

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大功率半导体激光器封装技术发展趋势及面临的(上传时间:2011-11-22)

本文综述了现有高功率半导体激光器（其中包括单发射腔，bar 条，水平阵列和垂直叠阵）的封装技术，并讨论其发展趋势。分析半导体激光器封装技术存在的问题和面临的挑战，并给出解决问题和迎接挑战的方法和策略

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