中国科学院上海技术物理研究所院士--褚君浩

时间:2015-04-09 15:04来源:互联网作者:yeyan 点击:
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摘要:褚君浩,男,1945年生,博士,研究员、博士生导师,中国科学院院士。1993-2003年任红外物理国家重点实验室主任,现任中国科学院上海技术物理研究所学位委员会副主任,《红外与毫米波学报》主编。主要从事红外物理、窄禁带半导体以及铁电薄膜的材料器件物理的应用基础研究。

关键字:中国科学院上海技术物理研究所,褚君浩

  褚君浩,男,1945年生,博士,研究员、博士生导师,中国科学院院士。1993-2003年任红外物理国家重点实验室主任,现任中国科学院上海技术物理研究所学位委员会副主任,《红外与毫米波学报》主编。主要从事红外物理、窄禁带半导体以及铁电薄膜的材料器件物理的应用基础研究。
 
  半导体物理和器件专家。中国科学院上海技术物理研究所研究员。1945年生于江苏宜兴。1966年毕业于上海师范学院物理系,1981年和1984年先后获中国科学院上海技术物理研究所硕士、博士学位。现任中国科学院上海技术物理研究所科技委副主任。2005年当选为中国科学院院士。
 
中国科学院上海技术物理研究所院士--褚君浩
 
  长期从事红外光电子材料和器件的研究,开展了用于红外探测器的窄禁带半导体碲镉汞(HgCdTe)和铁电薄膜的材料物理和器件研究。提出了HgCdTe的禁带宽度等关系式,被国际上称为CXT公式,广泛引用并认为与实验结果最符合建立了研究窄禁带半导体MIS器件结构二维电子气子能带结构的理论模型发现HgCdTe的基本光电跃迁特性,确定了材料器件的光电判别依据开展铁电薄膜材料物理和非制冷红外探测器研究,研制成功PZT和BST铁电薄膜非制冷红外探测器并实现了热成像。
 
  褚君浩发现窄禁带半导体碲镉汞带间光跃迁本征吸收光谱,发展了碲镉汞能带结构理论和光跃迁理论,提出碲镉汞禁带宽度、吸收系数、折射系数等多个有关碲镉汞基本物理性质的重要表达式。建立窄禁带半导体表面二维电子气子能带结构理论。解决了碲镉汞薄膜材料和焦平面列阵器件研制中涉及的有关重要基础问题。发展了碲镉汞材料器件设计理论。铁电薄膜非致冷红外探测研究取得国际影响。在铁电薄膜微结构控制和物理研究方面取得多项创新成果。发表学报论文330余篇,出版《窄禁带半导体物理学》专著一本。研究结果被美国空军研究实验室等二十多个单位作为碲镉汞材料器件和相关理论和实验研究的依据。碲镉汞带间跃迁本征吸收光谱等14项研究结果作为标准数据和关系式,被写入国际权威科学手册:“Landoldt-Boerstein科学技术中的数据和函数关系”III/41B卷 (1999年,德国Springer出版)。美国学术界在评论褚君浩研究组的工作时写道:“现在他们不仅已经赶上世界,并且在一些领域走在前面”。研究结果还被大段引入美国《固体光学常数手册》等8部著作。美国“材料学会通报”和美国“现代薄膜和表面技术” 杂志分别发表专文介绍这些结果。他是国家自然科学基金创新研究群体学术带头人。他曾经获得国家自然科学奖三次(1987年四等奖、1993年三等奖、2005年二等奖)、部委级自然科学奖或科技进步奖10次。
 
  褚君浩培养博士生30余名,已经获得博士学位22名,其中有两名获得全国百篇优秀博士论文奖。2004年评为国家重点实验室计划先进个人、国家973计划先进个人。他担任红外物理国家重点实验室主任期间,实验室在1997年和2002年国家评估中两次评为优秀。褚君浩是上海市红外与遥感学会理事长,中国物理学会光物理专业委员会副主任,上海技术物理研究所-华东师范大学成像信息联合实验室共主任。他是第十届全国人大代表。
 
【光粒网综合报道】( 责任编辑:yeyan )
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