半导体工艺极限一次次被突破,它的极限有没有尽头

时间:2019-01-11 14:23来源:百家号作者:yeyan 点击:
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摘要:为什么原来说 7 nm 是半导体工艺的极限,但现在又被突破了?

关键字:半导体,半导体材料,半导体工艺

  为什么原来说 7 nm 是半导体工艺的极限,但现在又被突破了?

 

  事实上,工艺上真正的极限在哪里没人知道。

 

  现在半导体工业上肯定是优先修改结构,但是理论上60mV/decade这个极限是目前半导体无法越过的。

 

 

  真正的下一代半导体肯定和现在的半导体有着完全不同的工作原理,无论是TFET还是MIFET或者是别的什么原理,肯定会取代目前的半导体原理。

 

  这么说吧!7nm不是工艺极限,而是物理极限。要做个小于7nm的器件并不难,大不了用ebeam lith。但是Si晶体管小于7nm,隔不了几层原子,遂穿导致漏电问题就无法忽略,做出来也没法用。

 

 

  但就像10年前我们觉得65nm工艺是极限,因为到了65nm节点二氧化硅绝缘层漏电已经不可容忍。所以工业界搞出了HKMG,用high-k介质取代了二氧化硅,传统的多晶硅-二氧化硅-单晶硅结构变成了金属-highK-单晶硅结构。

 

 

  当我们说工艺到了极限的时候,我们其实是在说在现有的结构、材料和设备下到了极限。然而每次遇到瓶颈的时候,工业界都会引入新的材料或结构来克服传统工艺的局限性。

【光粒网综合报道】( 责任编辑:yeyan )
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