应用材料推出Endura制造系统 存储芯片革命就靠它了

时间:2019-07-15 10:38来源:快科技作者:xuji 点击:
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摘要:说到存储芯片,目前主要是指DRAM内存、NAND闪存及少部分NOR闪存,内存速度极快但成本贵,而且断电不能保存数据,NAND、NOR闪存可以保存数据,成本也廉价,不过性能、延迟是没法跟内存相比的。 在这些存储芯片之外,业界还在开发各种新一代芯片,比如MRAM磁阻内存、ReRAM电阻式内存、PCRAM相变内存(Intel的傲腾内存就是相变存储原理),这些芯片的特点就是同时融合了闪存及内

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说到存储芯片,目前主要是指DRAM内存、NAND闪存及少部分NOR闪存,内存速度极快但成本贵,而且断电不能保存数据,NAND、NOR闪存可以保存数据,成本也廉价,不过性能、延迟是没法跟内存相比的。

在这些存储芯片之外,业界还在开发各种新一代芯片,比如MRAM磁阻内存、ReRAM电阻式内存、PCRAM相变内存(Intel的傲腾内存就是相变存储原理),这些芯片的特点就是同时融合了闪存及内存的优点,速度快、延迟低、可靠性高,同时断电也能保存数据,但是这三类芯片也有同样的不足,那就是容量比较小,制造困难。

想解决新一代存储芯片的生产难题,那就需要新的半导体设备,在这方面美国应用材料公司又一次走在世界前列了,日前该公司宣布推出Endura生产平台,其中包括制造PCRAM及ReRAM的Endura Impulse PVD以及用于制造MRAM的Endura Clover PVD两种物理气相沉积设备,这是该公司有史以来研发的最精密的芯片制造系统。

以Endura Clover PVD为例,应用材料公司表示它由9个晶圆处理反应室组成,全都是在真空、纯净状态下整合的,这也是业界第一个大规模量产用的300mm MRAM系统,其中每个反应室可以沉积5种不同的材料,而制造MRAM芯片至少需要30种不同的材料沉积操作,部分材料沉积层比人类的头发还要细小50万倍,达到了亚原子级别的精度,制造过程极其复杂也极其精密。

制造ReRAM及PCRAM的Endura Impulse PVD设备也是如此,同样是超级复杂、精密的半导体设备。

【光粒网综合报道】( 责任编辑:xuji )
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