美国II-VI公司发布下一代808 nm半导体激光器

时间:2015-06-25 09:21来源:网易新闻作者:liuli 点击:
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摘要:在6月22-25日德国慕尼黑2015世界光电子激光展会B1馆(展位403),工程材料和光电元件制造商美国II-VI公司的子公司瑞士苏黎世II-VI激光企业有限公司表示。

关键字:激光,半导体激光器,激光技术

  在6月22-25日德国慕尼黑2015世界光电子激光展会B1馆(展位403),工程材料和光电元件制造商美国II-VI公司的子公司——瑞士苏黎世II-VI激光企业有限公司表示,正在推出下一代多模大功率808nm半导体激光器单发射器组合。新芯片对可靠性和效率进行优化,输出功率10W以上,实现下一代高功率光纤耦合模块,作为材料加工和医疗应用的泵浦源。
 
  扩大组合的808nm光纤耦合模块提供输出功率15W-30W,具有相同机械尺寸和纤维结构(200μ米纤芯/ 0.22数值孔径)。新的光纤耦合产品是已经证明大批量通用“BMU”单发射平台的扩展。这些高输出功率/亮度BMU采用一个易于安装的紧凑气密封装。二极管泵浦固态(DPSS)激光器制造商,医疗器械制造商和其他子系统的开发人员可以提升产品性能(通过替换现有的低功耗模块),简化产品配置(使用较少的模块)和提高产品可靠性(通过不太复杂的光纤管理)。II-VI公司认为,基于其芯片设计技术和大批量封装制造技术,新产品提供延长的使用寿命。同时,该波长范围和光纤连接器类型可以定制,以满足特定客户的应用需求。新一代半导体激光器芯片还可以提供氮化铝基板或C底座上的开放热沉。
 
【光粒网综合报道】( 责任编辑:光粒网 )
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