Inp基大功率半导体激光器(二)

时间:2021-12-27 17:11来源:klein Lightigo作者:Jucy 点击:
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摘要:非对称包层就是将n层和p层的折射率设置的不一样,将光场分布偏移到n层,损耗较小,下图的稀释波导也起到非对称包层的作用,可以看到光场分布有一定的变化,稀释波导采用InP和InGaAs交替生长,一是散热效果比较好,二是可以优化折射率降低限制因子减小损耗。 还有一些其他的大功率的半导体激光器,一是采用大光腔结构,波导宽度很宽,二是FP的一些激光器,三是采用外腔

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非对称包层就是将n层和p层的折射率设置的不一样,将光场分布偏移到n层,损耗较小,下图的稀释波导也起到非对称包层的作用,可以看到光场分布有一定的变化,稀释波导采用InP和InGaAs交替生长,一是散热效果比较好,二是可以优化折射率降低限制因子减小损耗。

还有一些其他的大功率的半导体激光器,一是采用大光腔结构,波导宽度很宽,二是FP的一些激光器,三是采用外腔的激光器,用一些分立的透镜光栅之类的。

目前的单管半导体激光器的大功率提升主要还是研究如何提升饱和电流,一是增加散热,二是如何减小半导体激光器的电阻,还有端面灾变损伤等。如果要设计,目前考虑到的有,掺杂浓度、非对称包层、稀释波导、宽脊波导、电极设计电阻、端面镀膜。当然有的电阻小了,斜率效率就会下降,还需要具体优化分析,如果要做可以用lastip软件仿真分析。

【光粒网综合报道】( 责任编辑:Jucy )
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