研究人员开发新型钨基纳米激光器

时间:2015-04-16 20:55来源:互联网作者:Peter 点击:
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摘要:在运行温度130K时,钨基纳米激光器仅仅需要27nW的抽运能量。研究人员认为,由于小尺寸和低功耗的特点,钨基纳米激光器成为光子集成电路中很好的替代品。   华盛顿大学和斯坦福大学的

关键字:激光器,激光

    在运行温度130K时,钨基纳米激光器仅仅需要27nW的抽运能量。研究人员认为,由于小尺寸和低功耗的特点,钨基纳米激光器成为光子集成电路中很好的替代品。

    华盛顿大学和斯坦福大学的研究人员开发了该器件,关键是他们在器件的光子晶体腔上加了一层钨硒膜。该研究发表于Nature (doi: 10.1038/nature14290).

    华盛顿大学的博士研究生Wu Sanfeng介绍:“这是最近的发现,这种新型半导体非常薄,而且能很高效的发光。研究人员基于这种材料的特性,正在制作晶体管、发光二极管和太阳能电池,还有钨基纳米激光器。”

    与此同时,研究人员使用另一种原子薄片作为激光增益介质,可实现多种用途,为更方便的控制激光提供了条件。

    华盛顿大学教授Arka Majumdar介绍:“在使用其他材料时,增益介质是嵌入式的,根本不可能去改变它。在我们的纳米激光器中,你可以去除或者添加这种单层结构,非常方便。”

    二硒化钨单层结构能够将直接带隙激子专门限制在腔表面的1nm范围内。这种材料还可以通过外部控制实现灵活的激光操作,例如静电导通门控和电流注入。

  

  一层超薄的半导体膜铺在光子腔表面

  该项研究受到了美国空军科学研究局,海军研究局,美国国家科学基金,美国能源部,欧洲委员会以及华盛顿的清洁能源研究所的资助。

【光粒网综合报道】( 责任编辑:Peter )
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