近日，荷兰阿斯麦（ASML）公司向上海鼎泰匠芯科技有限公司成功交付首台ASML光刻机，但是这台光刻机的制程属于DUV深紫外光，并不是最先进的EUV极紫外光设备，这一举动引发了广泛热议。
对于光刻机而言，最核心的技术就是光源，光刻机按光源技术进步次序可分为紫外光（UV）、深紫外光（DUV）、极紫外光（EUV）三大类。
当前全球能够制造EUV光刻机的企业只有荷兰ASML一家企业，日本的佳能、尼康和中国上海微电子仅能制造DUV光刻机。荷兰ASML公司的EUV光刻机采用的是美国研发提供的13.5nm极紫外光源为工作波长的投影光刻技术，中国DUV光刻机使用的是波长193nm深紫外光源技术。
极紫外光刻技术研发突破的关键点主要是光源、掩模技术、光刻胶，那么当前全球的极紫外光刻技术研发进展如何？
从全球来看，美国和日本都在极紫外光刻方面已进行了深入的研究。全球共有1337条专利数据（已去重同时在多个国家/地区申请的专利），其中全球“极紫外光刻”专利技术拥有者主要有：
台湾积体电路制造股份有限公司
卡尔蔡司SMT有限责任公司
旭硝子株式会社
ASML荷兰有限公司
英特尔公司等
这5家公司在极紫外光刻技术方面都有什么研发进展呢？小编在研发情报库中查询了他们在半导体领域最新申请的专利数据。
